INST_FLOW FUNDAMENTAL REPORT
6525 KOKUSAI ELECTRIC プライム(内国株式)
INST_FLOW ANALYSIS

投資判断ダッシュボード

収益性・成長性・財務・割安性と独自判定をまとめて確認できます。

ファンダメンタル評価

収益性 データなし
成長性 単年度
財務 データなし
安定性 データなし
割安性 データなし
株主還元 データなし

財務チェック

営業CFデータなし
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営業利益率データなし

INST_FLOW判定

総合スコア 取得待ち
総合判定 取得待ち

業績・株価推移

売上高 データなし
営業利益 データなし
経常利益 データなし
純利益 データなし

成長率サマリー

最新実績の前年比と、直近4期を使った3年平均成長率を表示します。

成長率を計算しています

3年CAGRは期首と期末がともにプラスの場合のみ算出します。

業績トレンド

複数年度の実績と会社予想から、業績の方向性を自動判定します。

業績トレンドを判定しています

業績グラフ

年次実績と通期会社予想の推移を表示します。

売上高

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営業利益

グラフを読み込んでいます

EPS

グラフを読み込んでいます
実績 会社予想

業績推移

年度 売上高 営業利益 経常利益 純利益 EPS
財務データを読み込んでいます

会社予想

対象期間 売上高 営業利益 経常利益 純利益 EPS
会社予想を読み込んでいます

四半期推移

期間 売上高 営業利益 経常利益 純利益 EPS
四半期データを読み込んでいます

企業概要

6525 KOKUSAI ELECTRICは東証33業種では「電気機器」、17業種では「電機・精密」に分類されるプライム(内国株式)の上場企業です。 規模区分は「TOPIX Mid400」です。 直近の財務データでは、売上高は2,350.79億円、営業利益は418.36億円、営業利益率は17.80%、ROEは14.49%、自己資本比率は61.0%です。 キャッシュフローでは、営業キャッシュフローは488.01億円、フリーキャッシュフローは318.47億円となっています。 INST_FLOWの総合判定は「強い」(スコア7)です。判定理由として、FCFプラス、自己資本比率高い、現金比率高め、最終利益プラスが挙げられています。 このページでは、KOKUSAI ELECTRICの業績、収益性、財務健全性、キャッシュフローおよびINST_FLOW独自判定を確認できます。

企業情報

代表者
代表取締役社長執行役員 塚田 和徳
本社所在地
東京都千代田区大手町一丁目9番5号
電話番号
03-6772-9655
設立年月
1956-04
上場年月
2006-05
資本金
141.39億円
決算期
2026-03-31
従業員数
1,193人
平均年齢
44.1歳
平均勤続年数
18.0年
平均年間給与
960.7万円
EDINETコード
E37488

会社概要

当社グループは、当社及び連結子会社7社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。

(1)装置ビジネス

当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を(図-1)に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える(アニール)等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。

図-1 半導体製造前工程と主な当社グループ適応製品

「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD(注1)に対応した製品を提供しております。

一方、「熱処理」工程とは、熱酸化(注2)膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える(アニール)プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する(トリートメント)プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。

これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。

当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題に、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下があります。三次元(立体)構造になるとデバイスの構造がより深く、複雑になります。それにより成膜が必要な表面積が拡大し、ガスの移動距離が長くなり、成膜に要する時間が増加するため、生産性の課題が顕在化します。また、デバイス構造の複雑化に伴い、難易度の高い高品質成膜が要求されており、ALDのニーズが高まっております。当社グループは、このニーズに高難易度成膜と高生産性の両立できるバッチALD技術で、顧客の厳しい要求仕様に応えております。このバッチALD技術は、当社のコア技術による競合優位性の高い技術となっており、当社グループは高いシェアを持続しております。

顧客からのニーズが高まっているALDはサイクリックなプロセスであり、そのプロセスの中でガスの流入や流出、また膜質を維持するために副産物の除去を行うため時間を要するプロセスになってしまうことが大きな課題になっております。ALD技術とバッチの組み合わせによる補完関係を実現した当社グループのバッチALD技術は、高難易度成膜と高生産性の両立を可能とするものであり、生産性に関するALDの問題の論理的な解決策となります。

次に当社製品について以下にご紹介いたします。当社の主な製品であるバッチ成膜装置は、2025年のバッチALD対応装置市場において売上高世界シェア1位(出典:TechInsights Inc. “TI_ALD Tools_YEARLY” (April 2026))となっております。また、当社の枚葉プラズマトリートメント装置が属するPlasma Gate Modification Tools市場でも2025年の売上高世界シェア1位(出典: Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026)(注3)となっております。

それぞれの製品についてご説明します。

① バッチ成膜装置

バッチ成膜装置とは、数十枚以上のシリコンウェーハを一括処理することを可能とした成膜装置であり、高生産性が特徴となります。バッチ成膜装置には、高生産性を追究しウェーハ最大二百枚の一括処理に対応した「ラージバッチ」プラットフォーム(図-2 主要製品概要参照)と、複雑化する半導体構造への難易度が高い高品質成膜に対応し、ウェーハ最大百枚の一括処理に対応した「ミニバッチ」プラットフォームがあります。

このバッチ成膜装置のプラットフォームに使途に応じた反応炉をセットし、最適なプロセスを実現しております。「成膜」工程では、「LP-CVD」「ALD」など、「熱処理」工程では「熱酸化」「アニール」「拡散」などに適応しております。

なお、バッチ成膜装置の主力製品であるAdvancedAce®シリーズ及びTSURUGI® 剱®シリーズの概要は下記のとおりです。

・AdvancedAce®シリーズ:当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、高品質な成膜性能と高生産性を実現し、バッチCVD技術とバッチALD技術に対応したサーマルプロセス装置。

・TSURUGI® 剱®シリーズ:次世代デバイス、特に三次元(立体)デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、最新のバッチALD技術に対応し高品質・高生産性を備えたプロセス提供を可能にしたサーマルプロセス装置。

② 枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置

枚葉プラズマトリートメント装置は、成膜後にプラズマや加熱により膜中の不純物の除去や粒子を安定させることで膜質を改善させることを目的とした装置です。半導体デバイスの微細化、複雑化に伴い低温環境での成膜需要が高まる中で、低温環境でも膜質を維持するソリューションとして需要が拡大しております。

当社グループで製造・販売している枚葉プラズマトリートメント装置の「MARORA®」は複雑な半導体形状に対しても高い生産性と品質でのトリートメントが可能で、顧客からの需要を集めており、バッチ成膜装置に次ぐ柱として今後も成長させていく計画です。

(注1)当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでおります。

(注2)シリコン基板表面から内部にかけて高純度の酸化をする方法。熱酸化には、ドライ酸化、ウエット酸化などいくつかの方法があります。

(注3)GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではありません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。

図-2 主要製品概要

(2)サービスビジネス

当社グループでは、当社グループが製造・販売する半導体製造装置において部品販売・保守サービスをはじめとするアフターサービスの提供を行っております。半導体生産工場においては、半導体製造装置が年中無休で稼働しており、半導体製造装置に対し安定的な稼働とともに、耐久性が高い製品の提供が要求されております。当社グループにおいては、これら品質を担保した製品の提供を行っておりますが、これに加え、迅速、かつ、的確にアフターサービスを提供する体制が求められております。

当社グループでは、このような顧客の要望に応えるべく、より顧客の製造拠点に近い場所にて、サービス拠点を設置したうえで、優秀なエンジニアを配置するとともに、交換パーツを配備することで、装置トラブルに迅速、かつ、的確に対応可能な体制を整えております。

取り扱いサービス(役務提供を含む)

①

消耗部品等の部品販売、

保守サービス、有償修理

(現地修理/ユニット引取り修理/オーバーホール等)

②

装置の移設・改造

(プロセス変更/アップグレード等)

③

ウェーハサイズ200mm以下の

レガシー装置(新規・中古)販売

① 部品販売、保守サービス、有償修理

当社が製造・販売する主要製品に対し、保守メンテナンスするための製品の提供を行っております。加えて、半導体製造装置のための定期的な保守サービスを行っております。また、製品保証契約による修理サービスに加えて、故障時に有償で修理サービスを提供しております。

② 装置の移設・改造

当社が提供する主要製品に対し、設置後に必要に応じて、装置の移設やプロセスの書き換え、アップグレード等のサービス等を提供しております。

③ ウェーハサイズ200㎜以下の装置と中古装置の販売

当社はレガシー世代でのバッチ成膜装置を新規・中古いずれも顧客の要望に応じて適切に提供しております。2017年には、200mmバッチ成膜装置に、ウェーハサイズ300mmの先端装置技術を移植した新製品として競争力の高いバッチ成膜装置(VERTEX Revolution®)を市場投入して販売しております。また、SiCを含むパワーデバイス用途向けの販売が増加しており、当社は高温アニール技術を生かして差別化を図っております。

(注)2026年3月期のビジネス区分に基づく記載です。2027年3月期よりビジネス区分の変更を行い、サービスビジネス区分の「ウェーハサイズ200㎜以下の装置と中古装置の販売」と「アップグレード改造」を装置ビジネス区分に変更しました。

半導体設備投資サイクルの変動を受けにくく、かつ消耗品の販売等リカーリングな収益が発生するサービスビジネスは、安定的かつ高マージンな収益が期待されます。当社グループは装置のライフサイクル全体にわたってアフターサービスを提供し続ける体制を整えており、インストール台数の増加と各サービスの強化を通じてサービスビジネスも拡大しております。

また、国内連結子会社(株式会社国際電気セミコンダクターサービス)にて、成膜した後に膜の抵抗値を測定する測定検査装置や、他装置メーカー等向けに洗浄装置用の超音波発振器(水の中で振動させて洗浄に使用)ユニットを製品として製造・販売をしております。

当社グループの事業系統図は以下のとおりであります。

[事業系統図]

沿革

前述のとおり、当社は、日立国際電気における成膜プロセスソリューション事業が前身となります。日立国際電気は2018年3月に東京証券取引所市場第一部上場廃止となり、HKEホールディングスは2018年5月に日立国際電気を子会社化いたしました。その後、2018年6月に日立国際電気が会社分割を行い、同社の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングスが承継し、同時にKOKUSAI ELECTRICに商号変更して現在に至っております。

以下では、日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止までと、同社の上場廃止から現在に至るまでを2つの表に分けて記載しております。

(株式会社日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止まで)

年 月

概要

1949年11月

日本政府の委託により第二次世界大戦の終戦まで外地向け通信施設の建設保守業務を担当していた国際電気通信株式会社の総合自家用工場(狛江工場)を母体として、電気通信機器及び高周波応用機器の製造販売を主目的とする国際電気株式会社を設立

1956年4月

ゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置を受注し、半導体製造装置事業を開始

1961年9月

国際電気株式会社が東京証券取引所に上場(同年10月 市場第一部銘柄に指定)

1971年3月

アメリカのデラウェア州に現地法人Kokusai Electric Co., of Americaを設立

1977年3月

ドイツのデュッセルドルフに現地法人Kokusai Electric Europe GmbH(現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH)を設立

1989年2月

国際電気システムサービス株式会社(現 株式会社国際電気セミコンダクターサービス)を設立

1989年5月

富山事業所操業開始

1991年8月

富山事業所・トレーニングセンター開設

1993年5月

大韓民国天安市に現地法人 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.を設立

1996年9月

台湾に亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)を設立

1997年5月

Kokusai Electric America, Inc.を持株会社に改組し、Kokusai Semiconductor Equipment Corporationを設立して半導体製造装置関連業務を移行

2000年10月

国際電気株式会社・日立電子株式会社・八木アンテナ株式会社が合併し、株式会社日立国際電気に商号変更

2001年4月

国際電気システムサービス株式会社が通信・情報部門を日立電子システムサービス株式会社に営業譲渡し、株式会社国際電気セミコンダクターサービスに商号変更

2002年5月

亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)が、Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.(現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.))を設立

2003年3月

米国現地法人Kokusai Semiconductor Equipment CorporationがKokusai Electric America, Inc.を吸収合併

連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の公募増資により持分法適用関連会社化 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場に上場

2006年5月

Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.に追加出資し、Hitachi Kokusai Electric (Shanghai) Co., Ltd. (現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.))に商号変更

2008年5月

Kokusai Electric Europe GmbHとHitachi Kokusai Electric Europe GmbHが合併し、Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHに商号変更

2009年3月

株式会社日立製作所の連結子会社となる

年 月

概要

2010年9月

持分法適用関連会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.を株式の追加取得により連結子会社化

同社の子会社Fusionaid Co., Ltd.についても連結子会社化

2010年11月

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.平澤工場を建設

2011年10月

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.がFusionaid Co., Ltd.を吸収合併

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.天安工場を拡張

2015年2月

連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の株式を公開買付

その結果、Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場上場廃止

2015年9月

Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHを新設分割し、新設分割設立会社をHitachi Kokusai Electric Europe GmbHとするとともに、分割会社をHitachi Kokusai Semiconductor Europe GmbH(現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH)に商号変更

2016年1月

公開買付け等により連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化

2017年2月

Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.を成膜プロセスソリューション事業の分割による売却先に選定し、Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.が特別目的会社であるHKEホールディングス合同会社を東京都千代田区丸の内に設立

2017年11月

富山事業所剱館完成

2017年12月

HKEホールディングス合同会社からHKEホールディングス株式会社に組織変更

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気の公開買付けを実施し、成立

2018年3月

株式会社日立国際電気が東京証券取引所市場第一部上場廃止

(株式会社日立国際電気の公開買付けによる上場廃止以降、現在に至るまで)

年 月

概要

2018年3月

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気からKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化

2018年5月

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気を完全子会社化

2018年6月

会社分割により、株式会社日立国際電気の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングス株式会社が承継し、株式会社KOKUSAI ELECTRICに商号変更

当社の完全子会社となった株式会社日立国際電気の普通株式を20%ずつ、株式会社日立製作所及びHVJホールディングス株式会社へ売却し、非連結子会社化

本店を東京都千代田区丸の内から東京都千代田区神田へ移転

2020年2月

当社が株式会社日立国際電気の全株式をHVJホールディングス株式会社に売却し、株式会社日立国際電気を非子会社化

2021年9月

その他資本剰余金99億円を資本金に振替、資本金100億円となる無償増資を実施

2022年12月

新しい企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を制定

2023年10月

東京証券取引所プライム市場に上場

これに伴い、ケイケイアール・エイチケーイー・インベストメント・エルピー(KKR HKE INVESTMENT L.P.)が当社の親会社からその他の関係会社に変更

2024年2月

シンガポールに現地法人Kokusai Semiconductor Singapore Pte. Ltd.を設立

2024年7月

KKR等を売出人とする当社普通株式の売出し

2024年10月

砺波事業所操業開始

2025年3月

横浜テクノロジーセンタ操業開始

2026年1月

本店を東京都千代田区神田から東京都千代田区大手町へ移転

従業員情報

(2)【従業員の状況】

当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

(1)連結会社の状況

2026年3月31日現在

従業員数(人)

2,609

(注) 従業員数は就業人員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員及び執行役員は従業員数に含めております。

(2)提出会社の状況

2026年3月31日現在

従業員数(人)

平均年齢(歳)

平均勤続年数(年)

平均年間給与(円)

平均年間給与の

対前事業年度増減率

(%)

1,193

44.1

18.0

9,607,105

11.4

(注)1.従業員数は就業人員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員は従業員数に含め、執行役員は含めておりません。

2.平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。

(3)労働組合の状況

当社の労働組合は、KOKUSAI ELECTRIC労働組合と称し、コクサイグループ労働組合連合会に加盟しており、2026年3月31日現在の組合員数は852人であります。

また、一部連結子会社においても、労働組合が組織されておりますが、当社を含めて労使関係は円満に推移しており、現在、組合と会社との間に特記すべき事項はありません。

(4)管理的地位にある労働者に占める女性労働者の割合、男性労働者の育児休業取得率及び労働者の男女の賃金の額の差異

① 提出会社

当事業年度

管理的地位にある労働者に占める女性労働者の割合(%)

(注1)

男性労働者の育児休業取得率(%)

(注2)

労働者の男女の賃金の額の差異(%)

(注1)

全労働者

うち正規雇用労働者

うちパート・

有期労働者

7.0

82.9

78.3

53.7

78.8

(注)1.「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)の規定に基づき算出したものであります。同一職務・同一ポジションで比較すると賃金の差異は存在しないことから、当社における全体としての賃金差異は主として男女の従事しているポジションの違いなどの構造的要因によるものと考えています。そのため、上位ポジションへの登用について、改善の余地があると認識しており、女性の従業員数の増加させるとともに、キャリア研修の拡充や女性従業員向けの役員メンター制度等を実施しています。

2.「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定に基づき、「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律施行規則」(平成3年労働省令第25号)第71条の6第1号における育児休業等の取得割合を算出したものであります。

② 連結子会社

連結子会社は、「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)及び「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定による公表義務の対象ではないため、記載を省略しております。

事業セグメント

6.セグメント情報

(1)報告セグメントの概要

当社グループの事業セグメントは、当社の構成単位のうち分離された財務情報が入手可能であり、取締役会が、経営資源の配分の決定及び業績を評価するために、定期的に検討を行う対象となっているものであります。

当社グループは半導体製造装置事業を行っており、事業セグメントは半導体製造装置事業単一となっております。

(2)セグメント収益及び業績に関する情報

当社グループは、半導体製造装置事業による単一セグメントであるため、記載を省略しております。

(3)地域別に関する情報

売上収益及び非流動資産の地域別内訳は以下のとおりであります。

売上収益

(単位:百万円)

前連結会計年度

(自 2024年4月1日

至 2025年3月31日)

当連結会計年度

(自 2025年4月1日

至 2026年3月31日)

日本

19,859

22,796

米国

15,135

7,807

中国

111,901

90,597

台湾

42,002

43,149

韓国

37,966

57,570

その他アジア

9,642

11,581

欧州他

2,428

1,579

海外計

219,074

212,283

合計

238,933

235,079

(注) 売上収益は、販売仕向先の所在地によっております。

非流動資産

(単位:百万円)

前連結会計年度

(2025年3月31日)

当連結会計年度

(2026年3月31日)

日本

154,173

154,349

米国

870

6,393

韓国

6,216

5,366

その他

942

1,078

合計

162,201

167,186

(注) 非流動資産は、資産の所在地によっており、有形固定資産、使用権資産、のれん、無形資産を含んでおります。

(4)主要な顧客に関する情報

外部顧客への売上収益のうち、連結損益計算書の売上収益の10%以上を占める相手先は以下のとおりであります。

(単位:百万円)

前連結会計年度

(自 2024年4月1日

至 2025年3月31日)

当連結会計年度

(自 2025年4月1日

至 2026年3月31日)

Samsung Electronics Co., Ltd.

31,806

51,258

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.

30,827

31,495

CXMT Corporation

48,759

-

(注)

(注) 当連結会計年度において連結売上収益の10%未満であるため、記載を省略しております。

主要株主

順位株主名所有株式数持株比率
1日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口)30,919,000株13.23%
2KKR HKE INVESTMENT L.P. (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行)24,692,000株10.57%
3STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505001 (常任代理人 株式会社みずほ銀行)23,347,000株9.99%
4BNYM AS AGT/CLTS 10 PERCENT (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行)12,099,000株5.18%
5Qatar Holding LLC11,520,000株4.93%
6株式会社日本カストディ銀行(信託口)11,326,000株4.85%
7THE CHASE MANHATTAN BANK, N.A. LONDONSECS LENDING OMNIBUS ACCOUNT (常任代理人 株式会社みずほ銀行))6,858,000株2.94%
8JPMSPLC CLIENT ASSETS SK JPY (常任代理人 シティバンク、エヌ・エイ)6,090,000株2.61%
9JPモルガン証券株式会社4,881,000株2.09%
10GIC PRIVATE LIMITED-C (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行)4,628,000株1.98%

データ取得状況

銘柄マスター・直近財務・INST_FLOW判定データを反映済みです。複数年度推移、配当履歴、株主構成、事業別構成は順次追加します。

よくある質問

KOKUSAI ELECTRICはどのような会社ですか?

6525 KOKUSAI ELECTRICは、プライム(内国株式)に上場、東証33業種では「電気機器」に分類される企業です。このページでは、KOKUSAI ELECTRICの業績、財務、収益性、キャッシュフローおよび主要指標を確認できます。

KOKUSAI ELECTRICのROEは何%ですか?

KOKUSAI ELECTRICのROEは14.49%です。ROEは株主資本を利用して、どの程度利益を生み出したかを示す指標です。

KOKUSAI ELECTRICの自己資本比率は何%ですか?

KOKUSAI ELECTRICの自己資本比率は61.00%です。自己資本比率は総資産に占める自己資本の割合で、財務の安定性を確認する代表的な指標です。

KOKUSAI ELECTRICの営業利益率は何%ですか?

KOKUSAI ELECTRICの営業利益率は17.80%です。営業利益率は売上高に対して本業の利益がどの程度残ったかを示します。

INST_FLOWによるKOKUSAI ELECTRICの評価は?

INST_FLOWによるKOKUSAI ELECTRICの総合判定は「強い」、スコアは7です。これは公開データを基にした独自評価であり、将来の株価や投資成果を保証するものではありません。